伯東公司 KRI 考夫曼霍爾離子源光學(xué)蒸鍍鍍膜機(jī)應(yīng)用

常見(jiàn)蒸鍍機(jī)臺(tái)與對(duì)應(yīng) KRI 霍爾離子源型號(hào)：

蒸鍍機(jī)臺(tái)尺寸	KRI 離子源
~1100mm	eH1010
1100~1400mm	eH1010, eH1020
1400~1900mm	eH1020, eH3000

KRI 考夫曼霍爾離子源 controller 自動(dòng)化控制及聯(lián)機(jī)自動(dòng)化設(shè)計(jì)，提供使用者在操作上更是便利。

KRI 考夫曼霍爾離子源 Gun body 模塊化之設(shè)計(jì)、提供使用者在于基本保養(yǎng)中能夠降低成本及便利性。

伯東公司客戶 1400 mm 蒸鍍鍍膜機(jī)安裝 KRI考夫曼霍爾離子源 EH1020 F，應(yīng)用于塑料光學(xué)鍍膜。

KRI 考夫曼霍爾離子源 EH1020 主要參數(shù):

Filament Controller	Discharge controller	Gas controller
17.2A/ 22V	150V/ 4.85A	Ar/ 32sccm

利用 KRI 考夫曼霍爾離子源輔助鍍膜及無(wú)離子源輔助鍍膜對(duì)鍍膜質(zhì)量之比較：

	KRI EH1020 輔助鍍膜	無(wú) Ion Source 輔助鍍膜
鹽水煮沸脫膜測(cè)試	優(yōu)	劣
破壞性百格脫膜測(cè)試	優(yōu)	劣
光學(xué)折射設(shè)率	高	低
膜層致密性	優(yōu)	劣
膜層光學(xué)吸收率	無(wú)	有
制程腔體加熱溫度	低	高
生產(chǎn)成本	低	高

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

KRI 考夫曼霍爾離子源系列主要型號(hào)包含：

	離子源 eH200	離子源 eH400	離子源 eH1010	離子源 eH1020	離子源 eH3000
Cathode	Filament or Hollow cathode	Filament or Hollow cathode	Filament or Hollow cathode	Filament or Hollow cathode	Hollow cathode
Water Cooled Anode	no	no	no	yes	no
Discharge Currentmax	2 A	3.5 (7) A	10 (7) A	10 (20) A	20 (10) A
Discharge  Voltagemax	300 V	300 (150) V	300 (150 ) V	300 (150) V	250 (300) V
Discharge  Voltagemin	40* V	40* V	40* V	40* V	40* V
Divergence (hmhw)	45°	45°	45°	45°	45°
Height (nominal)	2.0”	3.0”	4.0”	4.0”	6.0”
Diameter (nominal)	2.5”	3.7”	5.7”	5.7”	9.7”

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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