離子蝕刻機 10 IBE
上海伯東日本原裝進口適合小規(guī)模量產使用和實驗室研究的離子蝕刻機 10 IBE, 一般通氬氣 Ar, 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產生轟擊離子; 終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余質譜監(jiān)測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.

基板尺寸	φ4 X 1wfr	可選
樣品臺	直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉
離子源	10cm 考夫曼離子源
均勻性	±5% for 4”Ф
硅片刻蝕率	20 nm/min
溫度	<100

離子蝕刻機 10IBE 組成：

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 非常友好的使用生產過程
 

伯東公司超過 50年的離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!

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