KRi 射頻離子源典型應(yīng)用: 12英寸, 8英寸 IBE 離子束刻蝕系統(tǒng)
上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大口徑射頻離子源  RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE  離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200 mm 硅片蝕刻, 刻蝕 均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. KRi 離子源可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 超導(dǎo)體等.

離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件, KRi  射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!  

客戶案例: 12英寸 IBE 離子束蝕刻機(jī)安裝 KRi 射頻離子源
KRi 離子源工作過程: 氣體通入離子源的放電室中,  電離產(chǎn)生均勻的等離子體, IBE系統(tǒng)由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進(jìn)行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料除去, 進(jìn)而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運(yùn)行在較高的真空度下.


 

由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間, 起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響.
這種物理方案, 柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制, 提升了工藝可控性
通過載片臺的角度調(diào)整, 實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射, 可用于特殊圖案的刻蝕, 也適用于側(cè)壁清洗等工藝.
蝕刻多層時不需要化學(xué)優(yōu)化, 一般工藝通氬氣, 也可通活性氣體.



KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻 2kw & 1.9 ± 0.2 MHz	RF 射頻 2kw & 1.8 MHz
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東同時提供IBE 離子蝕刻系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的蝕刻系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國  KRi 考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
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