KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級(jí)款. 具有更大的柵極, 更堅(jiān)固, 可以配置自對(duì)準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮?dú)? 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	KDC 40
陽(yáng)極	DC 直流
陽(yáng)極功率	100W
最大離子束流	>100mA
電壓	100-1200V
氣體	惰性和反應(yīng)氣體
進(jìn)氣流量	2-10sccm
壓力	<0.5m Torr
離子光學(xué)(自對(duì)準(zhǔn))	OptiBeamTM
離子束直徑	4cm Φ max
柵極	鉬和石墨
離子束形狀	聚焦, 平行, 散射
高度	16cm
直徑	9cm

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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