KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 射頻離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達到 400 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)

陽極	電感耦合等離子體 射頻自動匹配
最大陽極功率	600W
最大離子束流	> 300mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2,其他
流量	5-20 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學, 自對準	OptiBeamTM
離子束柵極	10cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬, 石墨
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

 

KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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