離子蝕刻機(jī) 4 IBE閱讀數(shù): 3033

離子束刻蝕機(jī) 4IBE
上海伯東日本原裝進(jìn)口小型 4英寸離子蝕刻機(jī),適用于科研院所, 實(shí)驗(yàn)室研究, 干法, 納米級(jí)別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 廣泛應(yīng)用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件等
離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國(guó) Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 刻蝕機(jī)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程
4英寸離子蝕刻機(jī)主要參數(shù)
型號(hào) |
4IBE |
樣品數(shù)量尺寸 |
φ4” X1 |
離子束入射角度 |
0~± 90 |
離子源 |
考夫曼離子源 |
極限真空度 Pa |
≦1x10-4 |
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s |
350 |
均勻性 |
≤±5% |
伯東公司超過(guò) 50年的離子刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)!
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