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KRI 霍爾離子源典型應(yīng)用 IBAD 輔助鍍膜
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KRI 霍爾離子源典型應(yīng)用 IBAD 輔助鍍膜

 美國 KRI 離子源應(yīng)用于蒸鍍直徑 1.5m 天文望遠鏡鏡片全反射膜
上海伯東代理美國 KRI 大尺寸霍爾離子源 EH 3000 HC, 離子束具有業(yè)界中更高廣角的涵蓋面積及更高密度的離子濃度, 在離子輔助鍍膜工藝中 Ion Beam Assisted Deposition, IBAD 可以獲得高均勻性及高致密性的膜層. EH 3000 HC 近日成功應(yīng)用于直徑 2.2m 蒸鍍機, 用于蒸鍍 1.5m 天文望遠鏡鏡片. 通過使用上海伯東 KRI 離子源鍍?nèi)瓷淠? 高均勻性及高致密性的膜層可以保障光源反射, 盡可能減少吸收. 直徑 2.2m 鍍膜腔, 僅需安裝1臺 EH 3000 HC 霍爾離子源, 即可完成鍍膜, 直接降低企業(yè)成本!
霍爾離子源,蒸發(fā)鍍膜
上海伯東離子源蒸鍍典型案例: 根據(jù)客戶 2.2m 鍍膜腔體尺寸, 基材尺寸和工藝條件, 推薦選用霍爾離子源 eh3000 HC, 配置中空陰極, 中和器, 自動控制器
1. 設(shè)備: 2.2m 蒸鍍鍍膜機.
2. 基材: 1.5m 天文望遠鏡鏡片鍍鋁 Al, 最外層鍍一層二氧化硅 SiO2, 做為保護膜
3. 離子源條件: Vb:120V ( 離子束陽極電壓 ), Ib:14A ( 離子束陽極電流 ), O2 gas:45sccm( 氧氣 ).
4. 離子源應(yīng)用: 天文望遠鏡鏡片鍍?nèi)瓷淠? 約3個小時; 保障光源反射, 盡可能減少吸收.

霍爾離子源 EH 3000 HC 主要技術(shù)參數(shù)

離子源

尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
可通氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2,
離子束發(fā)散角度:> 45° (hwhm)
水冷

 離子源
KRI 離子源控制器類似應(yīng)用: 汽車頭燈模塊鍍?nèi)瓷淠? 使發(fā)光源的光全部反射出去照亮

美國 KRi 霍爾離子源憑借高密度的離子濃度, 廣角度涵蓋面積的離子束, 可控制離子的強度及濃度, 已廣泛應(yīng)用于離子輔助鍍膜 IBAD , 獲得高質(zhì)量的膜層. 上海伯東美國 KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機尺寸, 基材尺寸及工藝條件選擇對應(yīng)型號: EH 400, EH 1000, EH 2000, EH 3000.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

鑒于客戶信息保密, 若您需要進一步的了解離子源鍍膜案例, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                     T: +886-3-567-9508 ext 161
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