KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75: 緊湊柵極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用, KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術(shù)參數(shù)
通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

型號	KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	2
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準(zhǔn)
-柵極直徑	7.5 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000
- 安裝	移動或快速法蘭
- 高度	7.9'
- 直徑	5.5'
- 離子束	聚焦 平行 散設(shè)
-加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
-工藝氣體	惰性 活性 混合
-安裝距離	6-24”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設(shè)備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號: KDC 75
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積

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