Atonarp 質(zhì)譜分析儀 Aston™ 半導(dǎo)體 CVD / ALD 應(yīng)用
上海伯東代理日本 Atonarp 過(guò)程控制質(zhì)譜儀 Aston™ 為半導(dǎo)體生產(chǎn)而設(shè)計(jì), 作為一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái), Aston™ 可以取代多種傳統(tǒng)工具, 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產(chǎn)中的氣體偵測(cè)分析, 實(shí)現(xiàn)尾氣在線監(jiān)控, 診斷并在一系列應(yīng)用中提供更高的控制水平, 適用于光刻, 電介質(zhì)和導(dǎo)電蝕刻及沉積, 腔室清潔, 腔室匹配和消解.

Aston™ 質(zhì)譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 能夠在半導(dǎo)體生產(chǎn)遇到的惡劣工況下可靠運(yùn)行, 與傳統(tǒng)質(zhì)量分析儀相比, 使用 Aston™ 的維修間隔更長(zhǎng). 它包括自清潔功能, 盡可能的清除由于某些工藝中存在的冷凝物沉積而導(dǎo)致的污垢積累.

Aston™ 質(zhì)譜分析儀典型應(yīng)用: 保護(hù) CVD 工藝免受干泵故障的影響
真空泵是半導(dǎo)體加工廠中應(yīng)用廣泛的設(shè)備之一. 真空泵對(duì)于在真空環(huán)境操作下的各種化學(xué)氣相沉積工藝至關(guān)重要, 這些工藝在真空下運(yùn)行, 以確保在較低的加工溫度下獲得均勻, 保形的沉積涂層. 干泵通常是惰性且可靠的, 但在苛刻的半導(dǎo)體制造工藝中進(jìn)行泵送時(shí), 干泵可能會(huì)出現(xiàn)意外故障.

災(zāi)難性故障
電介質(zhì)沉積冷凝液和苛刻的工藝氣體 (如 NF3) 可能會(huì)導(dǎo)致性能下降或突然失效模式, 包括沉積物突然吸入, 排氣堵塞, 沉積導(dǎo)致干泵卡死以及干泵部件的腐蝕退化. 干泵故障通常會(huì)對(duì) 10片甚至 100片在加工中的晶圓造成不可修復(fù)的損壞. 此外, 工具停機(jī)和清理可能會(huì)導(dǎo)致大量開(kāi)支和收入損失.
CVD 工藝過(guò)程中, 已污染的干泵

上海伯東 Aston™ 質(zhì)譜分析儀提供解決方案
通過(guò)在故障前, 提前更換或使干泵離線, 可以減輕災(zāi)難性的真空損失, 從而提高生產(chǎn)線良率.
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)干泵故障預(yù)測(cè). 通過(guò)測(cè)量進(jìn)入 (進(jìn)氣) 和排出 (排氣) 干泵的氣體的分子類型和質(zhì)量 (分壓), 可以對(duì)破壞性腐蝕或沉積物堆積進(jìn)行建模. 僅氣體壓力和體積僅部分指示氣流的腐蝕性或堵塞性. 至關(guān)重要的是流經(jīng)干泵的氣體成分. Aston™ 質(zhì)譜分析儀通過(guò)對(duì)干泵暴露在氣體濃度下的情況進(jìn)行建模, 并將模型與實(shí)際泵故障相關(guān)聯(lián), 可以較準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)干泵的預(yù)期運(yùn)行壽命.

在惡劣的 CVD 環(huán)境中, Aston™ 利用可操作的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)和防范因 PV-CVD 干泵引起的災(zāi)難性故障, 能夠?qū)ζ茐男愿g或沉積進(jìn)行預(yù)測(cè)建模, 優(yōu)化氮?dú)獯祾叱杀?
適用場(chǎng)景: 多個(gè)腔室連接到 1個(gè)干泵, 高濃度的電介質(zhì)會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的泵故障 (一次損失 10-100 片的晶圓)



通過(guò)使用上海伯東 Atonarp 過(guò)程控制質(zhì)譜儀 Aston™ 可以提高半導(dǎo)體制造工藝的產(chǎn)量, 吞吐量和效率, 此款質(zhì)譜儀可以在新工藝腔室的組裝過(guò)程中進(jìn)行安裝, 也可將其加裝到已運(yùn)行的現(xiàn)有腔室, 可在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)晶圓更高產(chǎn)量!  Atonarp 質(zhì)譜由統(tǒng)一的軟件平臺(tái), 光學(xué)和質(zhì)譜技術(shù)的突破性創(chuàng)新提供支持, 可提供實(shí)時(shí), 可操作, 全面的分子譜分析數(shù)據(jù).

Atonarp Aston™ 質(zhì)譜儀半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用
1. 介電蝕刻: Dielectric Etch
2. 金屬蝕刻: Metal Etch EPD
3. CVD 監(jiān)測(cè): CVD Monitoring
4. 腔室清潔 EPD: Chamber Clean EPD
5. 腔室指紋: Chamber Fingerprinting
6. 腔室匹配: Chamber Matching
7. 高縱橫比蝕刻: High Aspect Ratio Etch
8. 小開(kāi)口面積 <0.3% 蝕刻: Small Open Area <0.3% Etch
9. ALD
10. ALE

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