上海 氦質(zhì)譜檢漏儀 MOCVD 設(shè)備檢漏閱讀數(shù): 9787
氦質(zhì)譜檢漏儀 MOCVD 設(shè)備檢漏
MOCVD ( Metal-organic Chemical Vapor Deposition ) 是在氣相外延生長 (VPE) 的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù). MOCVD 是以Ⅲ族, Ⅱ族元素的有機化合物和V, Ⅵ 族元素的氫化物等作為晶體生長源材料, 以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延, 生長各種 Ⅲ-V族, Ⅱ-Ⅵ 族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料. 通常 MOCVD 系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓 (10-100Torr) 下通H2的冷壁石英 (不銹鋼)反應(yīng)室中進行, 襯底溫度為 500-1200℃, 用直流加熱石墨基座 (襯底基片在石墨基座上方), H 2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū).
MOCVD 設(shè)備需要檢漏: 因為MOCVD生長使用的源是易燃, 易爆, 毒性很大的物質(zhì), 并且要生長多組分, 大面積, 薄層和超薄層異質(zhì)材料. 因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計思想上, 必須考慮系統(tǒng)密封性.對于氣體的輸運系統(tǒng), 管路和管道的接頭等存在泄漏可能的部位需要重點排查, 保證反應(yīng)系統(tǒng)無泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一.
上海伯東 MOCVD 設(shè)備檢漏客戶案例一: 某公司通過 MOCVD 生長出來的發(fā)光材料, 用于制備 OLED 燈, 經(jīng)過伯東推薦選用移動式氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 390 + 遙控器, 方便系統(tǒng)檢漏操作.
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檢漏儀配有干式非接觸式前級真空泵和渦輪分子泵, 滿足半導(dǎo)體行業(yè)要求! |
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因為 MOCVD 的腔室都比較大, 焊接點偏多, 我們推薦客戶使用適用于遠程操作的無線遙控器, 方便用戶一個人邊噴氦氣的同時邊檢漏操作. |
上海伯東 MOCVD 設(shè)備檢漏客戶案例二: 某大型 LED 生產(chǎn)企業(yè)，共計采購24臺氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 390 用于 MOCVD 設(shè)備檢漏.
上海伯東 MOCVD 設(shè)備檢漏客戶案例三: 某 LED 生產(chǎn)企業(yè), 累積采購 6臺 ASM 340 用于設(shè)備檢漏
MOCVD 需要檢漏位置: 所有懷疑有漏的地方都需要進行檢漏, 主要檢漏源供給, 輸運和尾氣處理系統(tǒng)（例如管路接頭、管道、焊縫等位置.
根據(jù)客戶實際需要，MOCVD 檢漏基本配置：氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340 +干式真空泵 ACP 28 如下圖所示：
MOCVD設(shè)備檢漏方法：采用真空模式檢漏
1. 將設(shè)備通過波紋軟管連接檢漏儀 ASM 340，確認連接完畢
2. 啟動 ASM 340, 進入待機界面; 初次啟動時間大約 3min, 以后啟動 < 1min
3. 按下開始鍵, 先通過 bypass 閥門啟動干式真空泵 ACP 28抽真空, 到達一定壓力檢漏儀 ASM 340開始工作, 同時在設(shè)備懷疑有漏的地方噴氦氣; 若有漏, 檢漏儀馬上報警, 顯示該噴射點有漏.
4. 檢測完畢, 按下檢漏儀待機鍵, 放氣, 關(guān)閉電源, 移除連接管路.
結(jié)合了 Pfeiffer 與 Adixen 兩家檢漏儀的技術(shù)優(yōu)勢, 上海伯東德國 Pfeiffer 推出全系列新型號氦質(zhì)譜檢漏儀, 從便攜式檢漏儀到工作臺式檢漏儀滿足各種不同的應(yīng)用. 氦質(zhì)譜檢漏儀替代傳統(tǒng)泡沫檢漏和壓差檢漏, 利用氦氣作為示蹤氣體可精確定位, 定量漏點. 氦質(zhì)譜檢漏儀滿足單機檢漏, 也可集成在檢漏系統(tǒng)或 PLC. 推薦氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用 >>
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