離子蝕刻機(jī) 20IBE-C
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī) 20 IBE-C, 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻

φ4 inch X 6片	基板尺寸	< φ3 inch X 8片 < φ4 inch X 6片 < φ8 inch X 1片	可選
	樣品臺(tái)	樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉(zhuǎn)
	離子源	20cm 考夫曼離子源
	均勻性	±10% for 8”Ф
	硅片刻蝕率	20 nm/min
	溫度	<100

NS 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 組成

離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國(guó) Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 刻蝕機(jī)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程







自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過(guò) 50年的離子束刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理, KRi 離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.

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