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KRI 考夫曼離子源 KDC 160
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KRI 考夫曼離子源 KDC 160

KRI 考夫曼離子源 KDC 160
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,離子能量最強的柵極離子源, 適用于已知的所有離子源應(yīng)用, 離子源 KDC 160 高輸出設(shè)計,最大電流超過 1000 mA. 無需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計,標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)

型號

KDC 160

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用, 自對準

 -柵極直徑

16 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

9.92'

 - 直徑

9.1'

 - 離子束

聚焦
平行
散設(shè)

 -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

8-45”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用于硅片刻蝕系統(tǒng): 批量處理, 行星載臺 4 x 10 片, 刻蝕均勻性 <±5%.
KRi 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用于硅片刻蝕清潔

若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                  T: +886-3-567-9508 ext 161
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