KRi 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 10 是 KRi 柵極型離子源  Gridded 系列最小的型號. 非常適合安裝在較小的真空系統(tǒng)中進行預(yù)清洗, 離子束濺射和離子蝕刻工藝. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高. KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計, 低成本高效能等優(yōu)點廣泛應(yīng)用在顯微鏡樣品制備領(lǐng)域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.


 
KRi 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)

型號	KDC 10
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽極電壓	0-100V DC
- 柵極直徑	1cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000
- 架構(gòu)	移動或快速法蘭
- 高度	4.5'
- 直徑	1.52'
- 離子束	聚焦 平行 ?散射
-加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
-工藝氣體	惰性 活性 混合
-安裝距離	2-12”
- 自動控制	控制4種氣體

KRi 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 硅片刻蝕應(yīng)用
上海伯東協(xié)助某客戶自主搭建離子束刻蝕機, 進行 1寸或2寸晶圓 (硅片) 刻蝕, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 進行晶圓的超精密加工, 后期用于研究高質(zhì)量精密 x射線反射鏡.

離子束刻蝕機真空腔體主要部件如下圖所示, 主要是離子源, 運動臺和晶圓支架. 因刻蝕晶圓直徑比較小,推薦使用低成本高效能的美國 KRi 小型號考夫曼離子源 KDC 10, 離子源底座安裝設(shè)計為可移動, 進行刻蝕工藝時, 工藝氣體氬氣, 通過離子源發(fā)出一個圓形的自對準聚焦離子束, 離子束移動, 而晶圓保持固定. 這種設(shè)計節(jié)省了腔室和整個系統(tǒng)的空間.


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